Comportamento elétrico de mulita obtida do topázio.

Abstract

Medidas de resistividades elétricas de cerâmicas de mulita do topázio, com a razão Al2O3/SiO2 igual a 1,63, foram realizadas entre 25º e 324ºC. Pós de mulita com diferentes granulometrias foram compactados na forma de pastilhas cilíndricas sob pressão de 60 e 100kN/cm2. Os corpos verdes foram sintentizados a 1600ºC, 4h, em ar. As densificações variaram de 78,49% (mulita de baixa densidade) a 93,04% (mulita de alta densidade). As resistividades variaram de 10^10 ohm.m, à 25º C a 10^4 ohm.m a 324ºC. As energias de ativação foram iguais a 0,8 eV. Nas condições experimentais utilizadas, a mulita tem comportamento de semicondutor intríseco e os valores obtidos para a largura da faixa proibida de energia foram 1,54 eV e 1,74 eV, para as mulitas de baixa e alta densidades, respectivamente. Esses valores são intermediários aos disponíveis na literatura para mulita 3:2 e mulita 2:1.